Российская ЭКБ класса space, часть 2

[Salo]

http://www.elec.ru/news/2016/08/05/fabrika-angstrem-t-vvedena-v-kommercheskuyu-eksplu.html

Фабрика «Ангстрем-Т» введена в коммерческую эксплуатацию
 Опубликовано: Вчера в 12:25

Микроэлектронная фабрика «Ангстрем-Т» 30 июля получила разрешение Мосгосстройнадзора на ввод объекта в эксплуатацию. Это означает, что с августа этого года предприятие может выпускать, продавать продукцию и вести полноценную коммерческую деятельность.
 Третьего августа «Ангстрем-Т» посетил Председатель Правительства РФ Дмитрий Медведев. Он осмотрел современное производство и провел совещание о развитии микроэлектронной промышленности. Этот день можно считать датой официального открытия фабрики.

«Микроэлектроника является одной из ключевых отраслей современной промышленности, которые, по сути, определяют, какими будут промышленные технологии в ближайшие десятилетия. Её развитие имеет особое значение и для обычной экономики, и для обеспечения безопасности. Электронная продукция, в частности электронная компонентная база, — основа высокотехнологичных изделий большинства отраслей» — сообщил Дмитрий Медведев в ходе совещания.

 Строительство и запуск фабрики было бы невозможно без участия Внешэкономбанка, который является основным кредитором проекта. Банк участвует в финансировании «Ангстрем-Т» с 2008 года. Общая стоимость производства составляет 897 млн евро, участие Банка развития — 815 млн евро.
 Добрые слова в адрес «Ангстрем-Т» прозвучали от министра связи и массовых коммуникаций РФ Николая Никифорова: «Пользуясь случаем, хочется ещё раз поздравить коллег, руководство предприятия ,,Ангстрем-Т" с тем, что после нескольких лет непростого строительства, закупки необходимого оборудования, налаживания технологических процессов мы сейчас фактически видим уже переход к выпуску продукции. Это радостная новость, это новая добавленная стоимость, причём высокотехнологичная, для российской экономики. Хотелось бы, чтобы таких открытий у нас было как можно больше».
 Фабрика «Ангстрем-Т» — это передовое отечественное производство полупроводниковых изделий по технологии 90 и 130 нанометров. По данным аналитической компании Gartner доля продукции, произведенной по топологическим нормам 90-130 нм., в мире будет увеличиваться. Согласно прогнозам, с 2016 г. до 2019 г. средний рост (CAGR) доходов от технологий 90-130 нм. составит 4,2%.
 Значительный вклад в этот показатель обеспечивает бурно развивающийся сегмент Интернета вещей, электронная компонентная база которого базируется на указанных технологиях. Кроме того, продуктовая линейка компании находит свое применение в автомобильной отрасли, процессах автоматизации производства и строительства, здравоохранении, коммунальном хозяйстве, устройствах для умного дома, телекоммуникационном оборудовании, а также в банковской сфере.

«Мы решили ряд трудных задач, связанных со строительством и запуском фабрики, установкой высокотехнологического оборудования. Сейчас нам предстоит сформировать портфель заказов и приступить к реализации продукции. Наши чипы очень востребованы не только на внутреннем, но и на внешнем рынке. Бизнес-план предприятия создавался с участием международной компании Gartner, которая положительно оценивает перспективы экспорта российской микроэлектроники. Мы можем создать конкурентоспособную продукцию с технологической и экономической точки зрения» — заявил Председатель Совета директоров АО «Ангстрем-Т» Леонид Рейман.

Специалисты «Ангстрем-Т» спроектировали и налаживают производство банковского чипа для платежной карты «Мир» Национальной Системы Платежных Карт. Также разработана операционная система для использования с чипом под приложение МИР НСПК. В дальнейшем чип будет сертифицирован по международному стандарту EMVCo.

Компания «Ангстрем-Т» уже провела ряд переговоров с ведущими мировыми производителями электроники, в том числе, компаниями D-Link и Realtek, которые заинтересованы в размещении заказа на производство электронных компонентов на мощностях фабрики.
 На сегодняшний день доля российской микроэлектронной продукции на внутреннем рынке не превышает 20%, примерно столько же экспортируется. Новая фабрика «Ангстрем-Т» призвана существенно повысить конкурентоспособность российской микроэлектроники и создать новых игроков на мировом рынке.
Источник: Компания «Ангстрем-Т»

[Salo]

http://multicore.ru/index.php?id=556

Радиационно-стойкие и SpaceWire                              
                   
«МУЛЬТИБОРТ» — отечественный комплект микросхем, стойких к воздействию специальных факторов, обеспеченных инновационными каналами с пакетной передачей информации SpaceWire / GigaSpaceWire/ SpaceFibre и связанных общей концепцией построения бортового оборудования.
Комплект разрабатывается ОАО НПЦ «ЭЛВИС» в стратегическом партнерстве с ОАО «НИИМЭ и Микрон» и командой из «Санкт-Петербургского государственного университета аэрокосмического приборостроения» (ГУАП).
Комплект «МУЛЬТИБОРТ» разрабатывается для бортовой аппаратуры различного назначения, в том числе систем управления, бортовых коммуникаций и ЦОС (радиолокации, мониторинга, спутниковых ретрансляторов), для радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) космических аппаратов (КА), а также для аппаратуры гидроакустических комплексов и комплексов связи.
Все микросхемы комплекта связаны единой концепцией построения бортовых коммуникаций для многопроцессорного распределенного отказоустойчивого бортового оборудования. Каждая микросхема (микропроцессор, многоканальный адаптер, периферийный контроллер или коммутатор и т.д.) может быть использована как сетевой элемент комплексного бортового оборудования, в том числе космических аппаратов, на базе сетей SpaceWire / GigaSpaceWire/ SpaceFibre/ Serial RapidIO с использованием «интеллектуальных» коммутаторов-маршрутизаторов и других микросхем комплекта «МУЛЬТИБОРТ» разработки ОАО НПЦ «ЭЛВИС» и его партнеров.

Микросхема	Назначение	Комментарии
1657РУ1У	КМОП ОЗУ емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8b	LCC44
1892ВМ15Ф	Радиационно-стойкий сигнальный процессор	CPGA720
1892ВМ12Т	Радиационно-стойкий микропроцессор с каналами SpaceWire и гигабитным каналом GigaSpaceWire	CQFP240
1892ВМ8Я	Радиационно-стойкий сигнальный процессор	HSBGA416
1892XД1Я	Многоканальный адаптер (SpaceWire/PCI)	HSBGA416
1892КП1Я	16-канальный коммутатор SpaceWire	HSBGA416

[Salo]

http://multicore.ru/index.php?id=1332

Перспективные разработки

1892ХД4Ф (адаптер SpaceWire)Радиационно-стойкий многоканальный адаптер
1892ХД5Т (адаптер SpaceWire) 
LNAH8 (МШУ)СВЧ МИС широкополосного малошумящего усилителя

[Salo]

http://module.ru/catalog/micro/

БИС специального назначения (ГОСТ Р 52070-2003)


Микросхема сдвоенного приемопередатчика для МКПД                 
Предназначена для применения в устройствах, реализующих магистральный последовательный интерфейс по ГОСТ Р 52070-2003 в качестве резервированного прие...                                    
              

БИС 1895ВА2Т (принимаются заявки на поставку!)                 
Радиационно-стойкая интегральная микросхема 1895ВА2Т, разработанная ЗАО НТЦ «Модуль», реализует логическую часть устройства интерфейса мультиплексного...                                    
              

БИС 1895ВА1АТ (принимаются заявки на поставку!)                 
Радиационно-стойкая интегральная микросхема 1895ВА1АТ, разработанная ЗАО НТЦ «Модуль», реализует логическую часть устройства интерфейса мультиплексног...                                    
              

БИС 1895ВА1Т                 
Радиационно-стойкая интегральная микросхема 1895ВА1Т, разработанная ЗАО НТЦ «Модуль», реализует логическую часть устройства интерфейса мультиплексного...                                    
              

БИС 1879ВА1АТ (аналог БИС 1879ВА1Т)                 
1879ВА1АТ (аналог 1879ВА1Т) - универсальная связная машина, обеспечивающая гибкий интерфейс управляющего вычислителя (ЦП) с резервированным МКО по ГОС...                                    
              

Микросборка 2605ВГ1Т                 
Радиационно-стойкая гибридная микросборка К2605ВГ1Т интегрирует в своем составе логическую и приемопередающую части абонента МКПД и предназначена для ...

[Salo]

Там же, но не ЭКБ :
http://module.ru/catalog/space/

Космическое направление
    

ЗАО НТЦ «Модуль» разрабатывает и производит встраиваемые компьютеры для космических применений в широком диапазоне функциональных требований: от простейших 8-разрядных контроллеров до сложных 64-разрядных мультипроцессорных вычислительных систем. Компания проектирует и производит встраиваемые компьютеры для систем управления космическими аппаратами.

Семейство устройств связи
           Семейство устройств связи предназначено для использования в отказоустойчивых системах управления космическими объектами различного класса, в том числе...
 
Бортовой интегрированный вычислительный комплекс (БИВК)
           Бортовой интегрированный вычислительный комплекс (БИВК) предназначен для выполнения алгоритмов управления и контроля в составе бортового комплекса упр...
 
Центральная вычислительная машина ЦВМ-12
           ЦВМ-12 предназначена для выполнения следующих основных функций: прием информации, поступающей от датчиков и систем абонентов космического аппарата по... 

Блок вычислительный
           Блок вычислительный предназначен для функционирования в составе прибора 329К (ПЗВ) - звездного прибора космического аппарата.
 
 Вычислительный модуль МК17.01
           Вычислительный модуль для аппаратуры спутниковой радионавигации МК17.01 предназначен для первичной обработки навигационной информации.
 
 Интерфейсные модули устройств связи MK3.001 и МК3.002
           Вычислительный модуль МК3.001 предназначен для сбора и обработки информации от функциональных модулей, их управления, обмена информацией с аппаратурой...    
 
КВВМ
           Компактная высокопроизводительная вычислительная машина(КВВМ) предназначена для решения задач управления в системах с большими объёмами вычислений в у...

[Salo]

https://www.niisi.ru/devel.htm

Микросхемы космического применения разработки НИИСИ РАН 2009-2015 гг.

5890ВМ1Т
 32-х разрядный микропроцессор для построения резервируемых отказоустойчивых вычислительных систем. Обладает повышенной стойкостью к специальным воздействующим факторам.

[/li]
• разрядность шины микросхемы и внутренних регистров общего назначения - 32 разряда;
• максимальная рабочая частота микросхемы 5890ВМ1Т не менее 33 МГц;
• система команд совместимая с микросхемами серии КОМДИВ;
• номинальное значение напряжения питания UCC = 3,3 В (±5%);
• корпус планарный керамический 108 выводов.
  

Микросхема 5890ВМ1Т включает в себя:

[/li]
• процессор для обработки целых чисел;
• системный сопроцессор управления CP0;
• арифметический сопроцессор для обработки чисел с плавающей запятой CP1;
• кэш-память программ и данных объемом 8 Кбайт каждая.
  

Для повышения сбоеустойчивости регистровые файлы выполнены на специальных сбоеустойчивых ячейках, внутренняя кэш-память имеет контроль четности. Сопроцессор СР0 содержит счётчик ошибок.
 Дополнительные возможности:

[/li]
• режим работы внешней шины на половинной частоте (Half-frequency bus);
• режимы работы с уменьшенным потреблением энергии.
  

Выпускается серийно с 2009 г.

5890ВЕ1Т
 32-разрядная система на кристалле. Обладает повышенной стойкостью к специальным воздействующим факторам.
 Микросхема 5890ВЕ1Т включает следующие функциональные элементы:
 а) Микропроцессор, в состав которого входят:

[/li]
• процессор для обработки целых чисел;
• системный сопроцессор управления CP0;
• арифметический сопроцессор для обработки чисел с плавающей запятой CP1;
• кэш-память программ и данных объемом 8 Кбайт каждая.
  

б) Системный контроллер в состав которого входят:

[/li]
• контроллер памяти (статическое ОЗУ, ПЗУ 8/32 бита, внешние области);
• три программируемых 32-разрядных таймера;
• три контроллера последовательного порта;
• контроллер прерываний;
• контроллер шины PCI (Master / Slave);
• контроллер дискретных сигналов (16 линий).
  

Характеристики:

[/li]
• напряжение питания микросхемы UCC = +3,3 В±10%;
• планарный керамический корпус 240 выводов;
• тактовая частота процессора 33 МГц;
• тактовая частота шины PCI 25 МГц.
  

Микросхема 5890ВЕ1Т реализована по КМОП КНИ 0,5 мкм технологии.
 Выпускается серийно с 2009 г.

5890ВГ1Т
 Интерфейсный контроллер с повышенной стойкостью к специальным воздействующим факторам.
 Включает:

[/li]
• контроллер подчиненного устройства на шине PCI (32 разряда, 33 МГц, PCI Rev.2.1);
• два контроллера МКИО по ГОСТ Р 52070-2003 с резервированием;
• контроллер специального ОЗУ;
• блок счетчиков/таймеров;
• блок дискретных сигналов.
  

Интерфейсный контроллер 5890ВГ1Т реализован по 0,5 КНИ технологии в виде КМОП СБИС в планарном керамическом корпусе с 240 выводами.
 Выпускается серийно с 2009 г.
 
1900ВМ2Т
 Троированный микропроцессор. Функциональный аналог микросхемы 1990ВМ2Т (1890ВМ2Т) с повышенными характеристиками по сбоеустойчивости и радиационной стойкости.
 Микросхема 1900ВМ2Т включает в себя:

[/li]
• процессор для обработки чисел с фиксированной запятой, включая системный сопроцессор управления CP0;
• арифметический сопроцессор для обработки чисел с плавающей запятой CP1;
• кэш-память программ(команд) объемом 4 Кбайт;
• кэш-память данных объемом 4 Кбайт;
• контроллер шины (интерфейсный блок (IFUnit)).
  

Общие характеристики:

[/li]
• 108-выводной керамический корпус с четырехсторонним расположением выводов;
• напряжение питания микросхемы UCC = +3,3 В± 5 %;
• максимальная рабочая частота 66 МГц;
• система команд совместимая с микросхемами серии КОМДИВ;
• разрядность шины микросхемы и внутренних регистров общего назначения - 32 разряда;
• изготовление по технологии КМОП КНИ 0,35 мкм технологии.
  

Для повышения сбоеустойчивости предприняты следующие меры:

[/li]
• функциональные узлы микропроцессора реализованы по схеме тройного резервирования со схемой мажорирования на выходе. Функциональные блоки обладают свойством самосинхронизации в случае возникновения одиночного сбоя;
• имеется возможность проводить контроль работоспособности доступной кэш-памяти средствами MBIST в процессе работы процессора;
• регистровые файлы выполнены на специальных сбоеустойчивых ячейках типа DICE и защищены схемой коррекции, способной исправлять одиночную и обнаруживать двойную ошибку;
• внутренняя кэш-память данных и инструкций выполнена на специальных сбоеустойчивых ячейках типа DICE и защищена дополнительными битами четности. Схема управления кэш-памятью обеспечивает считывание корректных данных из внешней памяти в случае обнаружения ошибки четности;
  

Выпускается серийно с 2012 г.

1649РУ1ТБ
 Микросхема СОЗУ 1 Мбит с организацией 128Кx8 бит.
 Время записи и чтения данных - не более 30 нс;
 Технология изготовления 0,35 мкм КНИ.
 Выпускается серийно с 2011 г.
 9009РУ1Т
 Микросхема СОЗУ 8 Мбит с организацией 1Mx8 бит (многокристальный модуль)
 Время записи и чтения данных, - не более 60 нс;
 Технология изготовления 0,35 мкм КНИ.
 Выпускается серийно с 2011 г.

 1907КХ018
 Микросхема коммутатора 6 последовательных каналов RapidIO.
 Основные технические характеристики:

[/li]
• скорость передачи данных по каналам RapidIO не менее 1,25 Гбит/с в диапазоне температур от минус 60 до плюс 125°С;
• потребляемая мощность не более 6 Вт,
• технология изготовления 0,25 мкм КНИ.
  

В состав микросхемы входят:

[/li]
• шесть портов RapidIO 4Х/1Х, скорость передачи по каждой линии 1,25 Гбит/с;
• отдельная таблица коммутации для каждого порта;
• поддержка до 256 номеров устройств (ID);
• система контроля производительности для каждого порта RapidIO;
• интерфейс I2C для загрузки начальной конфигурации;
• интерфейс JTAG для тестирования и доступа к внутренним регистрам
  

Для повышения сбоеустойчивости использованы помехоустойчивое кодирование при обращении к памяти буферов пакетов и мажоритарное резервирование таблиц маршрутизации.
 Планируется к серии в 2016 г. после модернизации завода.

1907ВМ014
32-разрядная система на кристалле. Для снижения частоты одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ использованы специальные меры повышения сбоеустойчивости: дополнительные биты четности, избыточное кодирование кодами Хэмминга, сбоеустойчивые ячейки памяти, троированная начальная загрузка и др. Технология КМОП КНИ 0.25 мкм.
 Состав:
 а) Микропроцессор, в состав которого входят:

[/li]
• процессор для обработки целых чисел;
• системный сопроцессор управления CP0;
• арифметический сопроцессор для обработки чисел с плавающей запятой CP1;
• кэш-память программ и данных объемом 8 Кбайт каждая.
  

б) Системный контроллер, в состав которого входят:

[/li]
• контроллер памяти (статическое ОЗУ, ППЗУ);
• три программируемых таймера;
• контроллер прерываний;
• контроллер дискретных сигналов (32 линии);
• два контроллера последовательного порта;
• два контроллера МКИО по ГОСТ Р 52070-2003 с резервированием;
• два контроллера интерфейса SpaceWire;
• контроллер SPI;
  

в) Интерфейс JTAG
 Характеристики:

[/li]
• максимальная рабочая частота 100 МГц в диапазоне температур окружающей среды от минус 60°С до плюс 125°С;
• суммарная скорость приема и передачи данных по каналам связи SpaceWire - до 400 Мбит/сек, но не менее 200 Мбит/сек;
• номинальное значение напряжения питания микросхемы 3,3 В и/или 2,5 В (±5 %);
• потребляемая мощность на частоте 100 МГц не более 5 Вт, 40 МГц - не более 2 Вт;
• корпус планарный металлокерамический 256 выводов.
  

Планируется к серии в 2016 г. после модернизации завода.
 
 1907BM044 ОКР "Обработка-10"
 32-разрядная резервированная система на кристалле для создания бортовых управляющих систем космического базирования с повышенными функциональными возможностями, улучшенными массогабаритными характеристиками и высокой сбое- и отказоустойчивостью. Технология КМОП КНИ 0.25 мкм.
 Состав:
 а) Микропроцессор, в состав которого входят:

[/li]
• процессор для обработки целых чисел;
• системный сопроцессор управления CP0;
• арифметический сопроцессор для обработки чисел с плавающей запятой CP1;
• кэш-память программ и данных объемом 8 Кбайт каждая (на основе сбоеустойчивых ячеек).
  

б) Системный контроллер, в состав которого входят:

[/li]
• контроллер памяти (статическое ОЗУ, ППЗУ);
• три программируемых таймера;
• контроллер прерываний;
• контроллер дискретных сигналов;
• два контроллера последовательного порта;
• два контроллера МКИО по ГОСТ Р 52070-2003 с резервированием;
• контроллер интерфейса SpaceWire с резервным каналом;
• контроллер SPI;
  

в) Интерфейс JTAG
 Характеристики:

[/li]
• максимальная рабочая частота 66 МГц в диапазоне температур окружающей среды от минус 60°С до плюс 125°С;
• для снижения частоты одиночных сбоев при воздействии тяжелых заряженных частиц использовано помехоустойчивое кодирование;
• номинальное значение напряжения питания микросхемы 3,3 В (±5 %);
• потребляемая мощность на частоте 66 МГц не более 7 Вт;
• корпус планарный металлокерамический 256 выводов.
  

ОКР сдана в 2015 г.

 1907BM038 ОКР "Схема-10"
 32-разрядная система на кристалле для создания бортовых систем цифровой обработки сигналов с повышенной радиационной стойкостью и стойкостью к воздействию частиц космического пространства.
 Состав:
 а) Микропроцессор, в состав которого входят:

[/li]
• процессор для обработки целых чисел;
• системный сопроцессор управления CP0;
• арифметический сопроцессор для обработки чисел с плавающей запятой CP1;
• специализированный сопроцессор (включая блоки АЛУ, статического ОЗУ, регистрового файла) совместимый по системе команд с сопроцессором микросхемы 1890ВМ7Я;
• кэш-память программ и данных объемом 8 Кбайт каждая;
• блок трансляции виртуальных адресов TLB.
  

б) Системный контроллер, в состав которого входят:

[/li]
• контроллер памяти DDR2;
• контроллер высокоскоростного канала RapidIO;
• контроллер МКИО по ГОСТ Р 52070-2003 с резервированием;
• три программируемых таймера;
• контроллер прерываний;
• контроллер дискретных сигналов (32 линии);
• два контроллера последовательного порта;
• контроллер интерфейса SpaceWire с резервным каналом;
• контроллер SPI;
• контроллер NAND;
• часы реального времени.
  

в) Интерфейс JTAG
 Характеристики:

[/li]
• число разрядов внутренней шины данных к контроллеру ОЗУ не менее 128.
• скорость обмена данными с внешним запоминающим устройством (ОЗУ) не менее 2 Гбит/с.
• производительность на вещественных операциях одинарной точности не менее 2 Гфлопс.
• номинальное значение напряжения питания 3,3 и 2,5 В ?5 %.
• потребляемая мощность в диапазоне температур от минус 60°С до плюс 125°С (повышенная рабочая температура корпуса) не более 8 Вт.
   Корпус керамический матричный 675 выводов
  

ОКР сдана в 2015 г. Планируется к серии в 2016 г. после модернизации завода.

 1907BM028
 64-разрядная система на кристалле для построения высокопроизводительных вычислительных комплексов с повышенной радиационной стойкостью и стойкостью к воздействию частиц космического пространства.
 Основные технические характеристики:

[/li]
• 64-разрядная RISC архитектура КОМДИВ64;
• поддержка 32-разрядного режима выполнения инструкций и режима адресации;
• сопроцессор вещественной арифметики с форматами вещественных чисел одинарной (32 разряда) и двойной (64 разряда) точности, а также "пара вещественных чисел одинарной точности";
• специализированный сопроцессор комплексной арифметики с отдельным регистровым файлом на 64 64-разрядных комплексных регистра;
• трансляция 32-разрядных и 64-разрядных виртуальных адресов в 36-разрядные физические;
• ассоциативный буфер трансляции виртуальных адресов (jTLB) на 64 адреса (128 страниц);
• раздельные кэши первого уровня (инструкций и данных) по 16 Кбайт каждый (4 секции);
• кэш-память 2-го уровня размером 256 Кбайт с возможностью работы в режиме накристальной памяти;
• встроенный контроллер DMA для пересылок между внешней и накристальной памятями;
• 7-ступенчатый суперскалярный конвейер с предвыборкой, переупорядочиванием и возможностью выполнения двух команд за такт;
• считывание до четырех команд за один такт;
• статическое предсказание переходов и спекулятивное выполнение инструкций;
• потребляемая мощность на частоте 150 МГц не более 5,5 Вт, 66 МГц - не более 2 Вт;
• корпус керамический матричный 675 выводов.
  

Состав интерфейсов и устройств:

[/li]
• контроллер динамической памяти;
• контроллер последовательного RapidIO 4X (или 2 канала 1X);
• контроллер интерфейса PCI;
• контроллер прерываний;
• блок таймеров;
• контроллер ППЗУ;
• контроллер Ethernet;
• контроллер I2C.
  

Планируется к серии в 2016 г. после модернизации завода.

 1907ВМ056 ОКР "Схема-23"
 32-разрядная система на кристалле. Для снижения частоты одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ использованы специальные меры повышения сбоеустойчивости: дополнительные биты четности, избыточное кодирование кодами Хэмминга, троированная начальная загрузка и др. Технология КМОП КНИ 0.25. Состав:
 а) Микропроцессор, в состав которого входят:

[/li]
• процессор для обработки целых чисел;
• системный сопроцессор управления CP0;
• арифметический сопроцессор для обработки чисел с плавающей запятой CP1;
• кэш-память программ и данных объемом 8 Кбайт каждая.
  

б) Системный контроллер, в состав которого входят:

[/li]
• контроллер памяти (статическое ОЗУ, ППЗУ);
• три программируемых таймера;
• контроллер прерываний;
• контроллер дискретных сигналов (32 линии);
• два контроллера последовательного порта;
• два контроллера МКИО по ГОСТ Р 52070-2003 с резервированием;
• контроллер и коммутатор на 8 каналов интерфейса SpaceWire;
• два контроллера SPI;
• контроллер CAN;
• контроллер I2C.
  

в) Интерфейс JTAG
 Характеристики:

[/li]
• номинальное значение напряжения питания микросхемы 3,3 В (±5 %).
  

ОКР заканчивается в 2016 г.

 1907ВМ066 ОКР "Обработка-26"
 32-разрядная радиационно-стойкая система на кристалле со встроенным сопроцессором обработки и сравнения изображений.
 Состав:
 а) Микропроцессор, в состав которого входят:

[/li]
• процессор для обработки целых чисел;
• системный сопроцессор управления CP0;
• арифметический сопроцессор для обработки чисел с плавающей запятой CP1;
• кэш-память программ и данных объемом 8 Кбайт каждая.
  

б) Системный контроллер, в состав которого входят:

[/li]
• контроллер статического ОЗУ;
• накристальная память;
• контроллер высокоскоростного канала serial RapidIO;
• контроллер МКИО по ГОСТ Р 52070-2003 с резервированием;
• три программируемых таймера;
• контроллер прерываний;
• контроллер дискретных сигналов;
• два контроллера последовательного порта;
• контроллер интерфейса SpaceWire;
• контроллер SPI;
• контроллер I2C;
• коррелятор;
  

в) Интерфейс JTAG
 ОКР заканчивается в 2016 г.

 9011ВА016 ОКР "Обработка-17"
 Микромодуль 9011ВА016 представляет собой радиационно-стойкую "систему в корпусе" (СвК, МКМ), включающей универсальное процессорное ядро, блок статической памяти, программируемую логическую матрицу, интерфейсы по ГОСТ Р 52070-2003 и SpaceWire.
 В составе будут использованы кристаллы следующих микросхем:

[/li]
• процессорное ядро - 1907ВМ056,
• статическая память - 1667РА014,
• ПЛИС - 5576ХС8Т.
  

Параметры:

[/li]
• объём встроенной оперативной памяти 2 Мбайта (с защитой кодами Хэмминга);
• количество программируемых вентилей программируемой логической интегральной схемы - 50 тысяч;
• число каналов встроенного коммутатора интерфейса SpaceWire - 8 (либо 8 LVDS, либо 6 LVDS + 2 CMOS);
• число резервированных контроллеров канала, оконечного устройства, монитора интерфейса по ГОСТ Р 52070-2003 - 2;
• контроллер интерфейса CAN;
• контроллер ввода-вывода общего назначения (GPIO);
• контроллер интерфейса RS-232;
• контроллер интерфейса SPI;
• контроллер внешней памяти.
  

Потребляемая мощность в режиме функционирования при тактовой частоте процессорного ядра 100 МГц - не более 15 Вт, в энергосберегающем режиме функционирования при пониженной тактовой частоте процессорного ядра или без использования ПЛИС - не более 10 Вт
 Корпус металлокерамический со штырьковыми выводами (PGA) размеры - 60 мм х 68 мм. Шаг выводов -2,54 мм. Число выводов - 675.
 ОКР заканчивается в 2016 г.

[Aleks1961]

thunder26 пишет:

Aleks1961 пишет:
Почитайте УДК 621.3.019.3 Влияние радиации на ВБР БРЭА, один из членов произведения - вероятность связанная с поглощенной дозой, второй - с неотказами от воздействия ТЗЧ во включенном состоянии.

Ключевая фраза данной статьи (последний абзац, 2 стр.):
"Действующие нормативные документы предусматривают проводить раздельно оценку надежности и радиационной стойкости, как две независимые характеристики изделия"

Читаем - УДК 621.396.6, 621.8.019.8 МЕТОД РАСЧЕТНОЙ ОЦЕНКИ ПОКАЗАТЕЛЕЙ НАДЕЖНОСТИ БОРТОВОЙ АППАРАТУРЫ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ

В РД 134-0139-2005 Методы испытаний и оценки стойкости РЭА КА к воздействию ЗЧ КП по одиночным сбоям и отказам указывается, что если в техническом задании требования по радиационной стойкости не заданы, то для расчета вероятности безотказной работы аппаратуры следует использовать произведение вероятностей:
- эксплуатационной вероятности безотказной работы;
- вероятности безотказной работы при воздействии ИИ КП низкой интенсивности (дозовые эффекты);
- вероятности безотказной работы при проникновении одиночной заряженной частицы с высокой энергией (одиночные эффекты).
Расчет вероятность безотказной работы при воздействии ИИ КП низкой интенсивности (дозовые эффекты) по методикам ОСТ 134-1034 проводится «поэлементным» методом и заключается в сравнении уровня стойкости каждого типа ЭРИ (предельно-допустимой дозы), приведенного в нормативно-технической документации (НТД) с уровнем радиационного воздействия на него (поглощенных доз электронов, протонов и суммарной дозы), определенного расчетным путем. 
Уровень радиационных воздействий на ЭРИ зависит как от характеристик орбиты КА, и от мест их размещения на борту КА, классификация которых приведена в ГОСТ РВ 20.39.305    

[thunder26]

Aleks1961 пишет:
Читаем - УДК 621.396.6, 621.8.019.8 МЕТОД РАСЧЕТНОЙ ОЦЕНКИ ПОКАЗАТЕЛЕЙ НАДЕЖНОСТИ БОРТОВОЙ АППАРАТУРЫ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ

Ну вот и читайте научно-популярные статейки Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики». Ваше представление об этом зиждется сугубо на интернет-источниках. В вашей вселенной все может быть непременно так как вам хочется. Реалии вас похоже не особо интересуют.
А на документ РД 134-0139-2005 я в свое время писал замечания, часть из которых были учтены. Нет там формулы расчета ВБР приведенной в статье. Только вероятность сбоя/отказа от воздействия ТЗЧ.
P.S. В ОСТ 134-1034 расчета ВБР даже  близко нет.

[Salo]

http://ria.ru/science/20160818/1474718533.html

"Роскосмос" потратит более 480 млн рублей на электронные базы библиотек ЭКБ
18:57 18.08.2016
 
МОСКВА, 18 авг — РИА Новости. Госкорпорация "Роскосмос" объявила конкурс на создание единых верифицированных библиотек электронно-компонентной базы (ЭКБ) космического применения, максимальная цена контракта — 484 миллиона рублей, соответствующая заявка размещена на портале госзакупок.
 Создаваемая отраслевая электронная база библиотек ЭКБ должна встраиваться в интегрированный комплекс систем автоматизированного проектирования по разработке радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов.
Библиотеки должны содержать электрические и механические электронные модели изделий для использования в системе автоматизированного проектирования. Перечень изделий ЭКБ должен состоять из двух частей. В первой части будет содержаться не менее 1,2 тысячи изделий наиболее востребованной ЭКБ для приоритетных изделий ракетно-космической техники. Общее количество разрабатываемых электронных моделей изделий ЭКБ должно быть не менее 2 тысяч.
 Выполнить работу необходимо до 25 ноября 2025 года. Исполнителя планируется определить 14 сентября.
Вопрос создания отечественной электронно-компонентной базы (ЭКБ) со времени введения санкций против РФ стоит особенно остро. В конце сентября президент РФ Владимир Путин в очередной раз обратил внимание специалистов на то, что доминирование зарубежных партнеров на рынке микроэлектроники создает риски и нужно укрепить потенциал отечественной промышленности.

[Наперстянка]

Оказывается очень неплохие у чучхе получаются микросхемы класса Military, чувствуется настоящая электроника .... хотя не все шпионы вызывают доверие.

[Aleks1961]

thunder26 пишет:

Aleks1961 пишет:
Читаем - УДК 621.396.6, 621.8.019.8 МЕТОД РАСЧЕТНОЙ ОЦЕНКИ ПОКАЗАТЕЛЕЙ НАДЕЖНОСТИ БОРТОВОЙ АППАРАТУРЫ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ

Ну вот и читайте научно-популярные статейки Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики». Ваше представление об этом зиждется сугубо на интернет-источниках. В вашей вселенной все может быть непременно так как вам хочется. Реалии вас похоже не особо интересуют.
А на документ РД 134-0139-2005 я в свое время писал замечания, часть из которых были учтены. Нет там формулы расчета ВБР приведенной в статье. Только вероятность сбоя/отказа от воздействия ТЗЧ.
P.S. В ОСТ 134-1034 расчета ВБР даже близко нет.

Тогда начните с азов:
 - MIL-HDBK-814 Ionizing Dose and Neuron Hardness Assurance Guidelines for Microcircuits and Semiconductor Devices February 1994;
- NASA PRACTICE NO. PD-ED-1260 PREFERRED May 1996 RELIABILITY PAGE 1 OF 7 PRACTICES RADIATION DESIGN MARGIN REQUIREMENT   .
И в конце дойдете до понимания содержания научной статьи УДК 621.396.6, 621.8.019.8 МЕТОД РАСЧЕТНОЙ ОЦЕНКИ ПОКАЗАТЕЛЕЙ НАДЕЖНОСТИ БОРТОВОЙ АППАРАТУРЫ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ  
Авторы:

Валерий Жаднов, Кандидат технических наук, профессор / 59 лет 
Список статей - http://cyberleninka.ru/scientist/391169
Майя Артюхова, тема диссертации: Метод анализа стойкости бортовых радиоэлектронных устройств космических аппаратов к воздействию излучений низкой интенсивности
Научный руководитель: Жаднов Валерий Владимирович
Список статей - http://cyberleninka.ru/search#q=%40%D0%B0%D0%B2%D1%82%D0%BE%D1%80+%22%D0%90%D1%80%D1%82%D1%8E%D1%85%D0%BE%D0%B2%D0%B0+%D0%9C.+%D0%90.%22&page=1
Профессиональные интересы:
радиационная стойкость
космическая аппаратура
проектирование и конструирование радиоэлектронной аппаратуры

Успехов

[Salo]

http://www.mikron.ru/press-center/news/2028/

Г.Я. Красников выступил на совещании по вопросу развития российского рынка микроэлектроники под председательством Д.А.Медведева.    

    3 августа премьер-министр РФ Д.А. Медведев провел в Зеленограде совещание, посвященное перспективам развития отечественной микроэлектронной промышленности и внутреннего рынка микроэлектронной продукции. В совещании приняли участие вице-премьер Дмитрий Рогозин, помощник президента РФ Андрей Белоусов, министр связи и массовых коммуникаций Николай Никифоров, министр транспорта Максим Соколов, мэр Москвы Сергей Собянин, глава ВЭБ Сергей Горьков, главы госкорпораций, профильных министерств и ведомств, отечественных микроэлектронных предприятий и дизайн-центров.
 
     Участники встречи обсудили вопросы, связанные с исполнением поручений президента РФ В. В. Путина по итогам прошедшего в сентябре 2015г. совещания, посвященного развитию российского рынка микроэлектроники, наметили перспективы расширения рынка сбыта для отечественной микроэлектронной промышленности.
 
     В своём выступлении председатель Совета директоров ПАО «Микрон», генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Геннадий Красников подчеркнул, что микроэлектронная отрасль может успешно развиваться только при комплексной поддержке государства, необходимо строго следовать плану гарантированных закупок российской гражданской микроэлектронной продукции, а также расширять рынок сбыта за счёт экспорта. Кроме того, технологии нужно постоянно развивать, для этого «Микрону» требуются инвестиции со стороны государства для осуществления проекта по созданию линии производства микросхем уровня 65-45 нм, 45-28 нм и ниже на пластинах диаметром 300мм.
 
     «Микрон» уже производит и поставляет свою продукцию для таких государственных инфраструктурных отраслей, как транспорт, телекоммуникации и связь, банковский сектор, электронные документы, логистика и торговля. Это транспортные билеты, банковский чип для карт НСПК "МИР", чип для электронных документов – заграничных биометрических паспортов, удостоверений личности гражданина РФ, RFID-метки для маркировки товаров и построения логистических систем, процессоры для персональных компьютеров - "Эльбрус".

[Chilik]

^^
а есть ли смысл упираться именно в оборудование на 300 мм?
оно ведь в первую очередь для снижения издержек при массовом производстве, а когда задачей ставится затыкание дырок для спецтехники, то более простые линии на 4 или 8 дюймов позволят решить задачу при более скромных затратах.

[thunder26]

Aleks1961 пишет:
Тогда начните с азов

Какие азы? Я много лет занимаюсь этими вопросами. В том числе и вашим Лыбидем.

Aleks1961 пишет:
И в конце дойдете до понимания содержания научной статьи УДК 621.396.6, 621.8.019.8 МЕТОД РАСЧЕТНОЙ ОЦЕНКИ ПОКАЗАТЕЛЕЙ НАДЕЖНОСТИ БОРТОВОЙ АППАРАТУРЫ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ    

Вы сами то читали НТД на которые ссылаются в статье?
Приведите ссылку на формулу (номер формулы, страницу) в соответствии с которыми (если верить авторам статьи) в  РД 134-0139 и ОСТ 134-1034 проводится расчет ВБР при воздействии ИИКП.
Напомню содержание статьи:

Aleks1961 пишет:
Методики расчета вероятности безотказной работы при проникновении (!) одиночной заряженной частицы приведены в РД 134-0139...

Aleks1961 пишет:
Расчет вероятность безотказной работы при воздействии ИИ КП низкой интенсивности (дозовые эффекты) по методикам ОСТ 134-1034 проводится «поэлементным» методом...

P.S. Порадовал расчет ВБР Р2 в статье (первая формула на второй странице) . Безразмерная величина (ВБР) получается вычитанием из единицы частоты отказов (1/с). Далее тут же частота отказов (1/с) получается отношением двух безразмерных величин (число отказавших ИС к общему числу ИС). Далее извините читать нету мочи.

[thunder26]

Aleks1961 пишет:
Валерий Жаднов
Майя Артюхова

Судя по перечню печатных работ, ни один из авторов ни разу не печатался в сборниках по радстойкости космической техники. Ну а в сборниках слета ассенизаторов можно нести всякую чушь, вплоть до той, что написана в статье выше.

P.S. Очень показательно сравнение двух статей одного и того же автора: первая, которую вы озвучили и вторая. Сравнение предпоследнего абзаца первой страницы из первой статьи и последнего абзаца первой страницы второй статьи показывает, как ловкостью рук членов "Высшей школы экономики" ОСТ 134-1034 вдруг начинает считать ВБР.
А в начале четвертой страницы второй статьи, превозносимый вами автор (о ужас) ссылается на документ нашей разработки (154ПМ-129)

[Наперстянка]

Chilik пишет:
^^
а есть ли смысл упираться именно в оборудование на 300 мм?
оно ведь в первую очередь для снижения издержек при массовом производстве, а когда задачей ставится затыкание дырок для спецтехники, то более простые линии на 4 или 8 дюймов позволят решить задачу при более скромных затратах.

   Эта проблема не очень большая, так как связана с качеством затравки. А затравку вроде складывают из однонаправленных монокристаллических алмазов, которые отлично получаются даже у африканцев.

[oby1]

Chilik пишет:
а есть ли смысл упираться

вроде как  90 нм только Микрон на 200 мм делает ,а с 65 нм бывают

тулы только 300 мм. Хотя есть адаптеры с 300 на 200.

[Salo]

http://www.kommersant.ru/doc/2855421

"Санкции тут вообще ни при чем, они нас не касаются"
Гендиректор "Микрона" Геннадий Красников о развитии микроэлектроники в России
18.11.2015

Один из крупнейших в России и СНГ производителей микроэлектроники "НИИМЭ и Микрон" планирует строительство фабрики по производству интегральных схем 28 нм, которые сейчас выпускают мировые лидеры — Intel, Samsung, TSMC. В интервью "Ъ" гендиректор "Микрона" ГЕННАДИЙ КРАСНИКОВ рассказал, почему за государственным финансированием новой фабрики было решено обратиться напрямую к Владимиру Путину, зачем использовать только отечественные чипы в национальной платежной системе "Мир" и как развивать микроэлектронику в стране, где отсутствует массовое производство оборудования и вычислительной техники.

— Последние два года вы планируете запуск серийного производства чипов с топологией 65 нм, но он постоянно откладывается. С чем это связано?

— В конце нулевых мы стали наращивать темпы минимизации топологических размеров микросхем, так как экономическая ситуация в стране стала стабилизироваться. Технологический цикл у нас достаточно большой, инвестиции в производство тоже нужны немалые, и они требуют в первую очередь четкого видения вперед. Скажем, от начала строительства микроэлектронного производства до проектирования интегральных схем и начала их серийного производства проходит не менее пяти лет. Однако в 2014-2015 годах резко увеличился курс доллара к рублю, что сказалось на наших инвестиционных возможностях. Тем не менее мы планируем запустить серийное производство микросхем с топологией 65 нм в первой половине 2016 года.

— Говорят, запуск производства откладывался из-за проблем с ввозом фотолитографического оборудования, вызванных санкциями, потому что оборудование подпадает под определение "двойное назначение". Так ли это?

— Санкции тут вообще ни при чем, они нас не касаются. И оборудование это под них не попадает. Задержка получилась из-за изменившейся системы оформления документов на транспортировку сложного технологического оборудования — много времени ушло на их переделку.

— Есть ли уже соглашения с заказчиками интегральных схем топологией 65 нм?

— У нас есть предварительные договоренности с российскими дизайн-центрами — МЦСТ, НПЦ "Элвис", "Т-Платформами" и др. Продукт, с которого мы начнем производство, это оперативная память 16 Мб и более. Это продукт широкого применения, который необходим во всех системах, где используются микропроцессоры для различного оборудования, станков, вычислительных систем. Кроме того, в этом устройстве наиболее плотная упаковка транзисторов, что вместе с высоким процентом выхода годных продуктов позволит нам лишний раз подтвердить свои технологии.

— Однако у нас в стране производится не очень много какого-либо оборудования.

— Рынок сбыта действительно пока слабое звено. Так, почти никто в России не производит бытовую технику: телевизоры, радио- и видеоаппаратуру. Все эти устройства импортируются. Поэтому сейчас мы делаем акцент на производстве RFID-меток и встраиваемой flash-памяти, так как для их реализации нам не нужно каких-либо посредников для сбыта. В итоге появляются сим-карты, банковские карты, электронные документы, социальные карты, биометрические паспорта, различные удостоверения и транспортные карты, созданные нашей группой компаний.

Многие, говоря о "Микроне", сразу начинают пытаться сравнивать нас, например, с Intel, которая уже производит чипы 22 нм и менее, при этом они не понимают, что технологий очень много и не для всех нужен такой топологический размер. Для производства встраиваемой flash-памяти мировой стандарт сейчас 90 нм, с которого пытаются кое-где перейти на 65-45 нм. При этом все наши чипы оригинальные, так как мы занимаемся не только производством, но и разработкой, схемотехникой, сами пишем внутренний софт. Встраиваемая flash-память и RFID останутся у нас основными направлениями до тех пор, пока правительством не будет реализована комплексная программа по развитию вычислительной техники и телеком-оборудования.

— У вас были планы по созданию технологии производства чипов 45 нм. На каком этапе этот проект?

— Технология производства 45 нм чипов нам уже понятна, понадобятся ресурсы на создание серийного производства и получение опытных образцов. Примерно 90% инвестиций пойдут в основном на закупку современного оборудования и расширение "чистой комнаты", так как производство микросхем с топологией до 45 нм мы будем организовывать в рамках модернизации текущих производственных мощностей.

Наше видение таково: все должно развиваться в рамках частно-государственного партнерства. Мы считаем, что доля государства в нашем предприятии должна увеличиться. Чем серьезнее стоит задача, то есть чем меньше топологические размеры производимых чипов, тем больше нужны не только инвестиции со стороны государства, но и меры господдержки, которые сейчас есть в любой стране, где микроэлектроника развивается.

— Почему вы решили разрабатывать собственную технологию? Раньше вы ее покупали.

— Мы покупали технологии у зарубежных партнеров, так как на первом этапе "перешагивали" через несколько технологических поколений, например с 180 нм перешли на 90 нм, чтобы уменьшить риски, сократить время запуска, обучить персонал (наших технологов, ученых). Этот опыт позволил нам создать потенциал для самостоятельного последовательного осваивания следующих технологических поколений.

— Для чего, еще не запустив производство чипов 65 нм и 45 нм, вы предложили государству проинвестировать строительство фабрики по производству чипов 28 нм?

— Любой разработчик мыслит вперед. Мы прекрасно понимаем, что от идеи до реализации проходит много времени. Для освоения технологии 28 нм и ниже нужно устанавливать технологическое оборудование под кремниевые пластины диаметром 300 мм, а это уже строительство новой фабрики. Сейчас эта идея обсуждается в департаменте радиоэлектронной промышленности Минпромторга. 28 нм — это интересный топологический размер. Многие знают закон Мура, по которому в микроэлектронике одновременно с уменьшением топологического размера падает и цена транзистора. Например, есть в продаже флешки размерами 4 ГБ и 16 ГБ, однако большая по объему будет стоить не в четыре, а лишь в два раза дороже, что стимулирует покупать именно ее. Так вот, 28 нм — это последний топологический размер, после которого цена транзистора не падает, а порой даже увеличивается.

— А почему финансировать данный проект вы хотите из госбюджета?

— Мы считаем, что наш акционер (АФК "Система" Владимира Евтушенкова.— "Ъ") решился на очень смелый поступок, взяв на себя грандиозную задачу по развитию микроэлектроники и фактически в одиночку совершив революцию в этой области в нашей стране. Однако отрасль может успешно развиваться только при комплексной государственной поддержке. Например, в Китае есть национальная платежная система UnionPay, которая использует только местные чипы. У нас сейчас появляется национальная платежная система "Мир", и там должен быть аналогичный подход.

Есть много механизмов господдержки, но в области микроэлектроники они не всегда работают. Отечественные ГОСТы в этой сфере не соблюдаются, в итоге все пользуются либо открытыми европейскими или мировыми стандартами, либо, что хуже, зачастую используют корпоративные стандарты каких-либо международных компаний. У нас таможенные пошлины на ввоз микроэлектронных компонентов в Россию равны нулю. Поэтому данную область нужно развивать только вместе с государством.

С другой стороны, ни для кого уже не секрет, и Эдвард Сноуден отчасти помог раскрыть людям глаза, что, говоря о независимости страны, нужно подразумевать не только армию и флот. Техническое вооружение и независимость, например, в банковской, телекоммуникационной и транспортной системах, а также системе позиционирования ГЛОНАСС не менее важны. Даже в мобильных устройствах есть недекларированные возможности, о которых вы не подозреваете. Они реализовываются внутри интегральных схем, и никто не знает, какие там заложены функции. Отечественная разработка и производство микроэлектроники позволяют государству быть уверенными на 100%, что таких недекларированных возможностей нет.

— Помимо информационной безопасности есть еще вопрос цены. За счет чего вы планируете конкурировать с азиатскими производителями микроэлектроники, у которых, как правило, продукция дешевле за счет больших объемов производства?

— Более 25 лет мы свою продукцию поставляем на экспорт, сейчас продаем за рубеж примерно 20% производимых устройств. И мы намерены и далее делать конкурентоспособную продукцию, в том числе и по цене. У нас свои представительства на юго-востоке (Тайвань, Гонконг, Шэньчжэнь), в Европе и США. За первое полугодие 2015 года объемы экспорта "НИИМЭ и Микрона" выросли на 80%. Мы следим за себестоимостью, энергоэффективностью, чтобы оставаться конкурентными по цене. Объемы производства у нас тоже немаленькие, по некоторым направлениям, например встраиваемой flash-памяти, мы делаем десятки миллионов микрочипов в месяц.

— Деньги на строительство новой фабрики от государства вы хотите получить в виде субсидий, льготных кредитов или же провести допэмиссию в пользу какой-либо госструктуры?

— Мы за комплексные меры, но в первую очередь считаем, что предприятие должно поддерживаться государством путем вложения средств в уставной капитал. Кредиты в России не стимулируют высокотехнологичную промышленность, так как технологический цикл очень длинный. Вот, например, в торговле: привез продукт, продал, и в течение месяца можешь несколько таких оборотов сделать. У нас технологический цикл длится больше года, потому кредиты для микроэлектронных предприятий должны быть конкурентными, с низкой процентной ставкой. С другой стороны, мы настаиваем на последовательном формировании рынка. Например, RFID-технологии могут и должны помогать государству во многих сферах: не только в электронных документах, но и как различные метки, которые могут использоваться в логистике. С другой стороны, должны быть госпрограммы, связанные с созданием отечественной вычислительной техники, телекомоборудования. Тогда и мы сможем более уверенно инвестировать в развитие технологий в микроэлектронике.

— В допэмиссии, которая готовится сейчас, будут принимать участие госструктуры или только основной акционер — "РТИ Микроэлектроника"?

— В текущей — нет, не будут. Вообще, из материалов в СМИ сейчас складывается впечатление, что мы заводим какие-то большие средства в уставный капитал, но это не так. Мы проводим реструктуризацию бизнеса. Для проекта создания производства чипов 90 нм мы формировали совместное предприятие с "Роснано". После допэмиссии в 2014 году "Роснано" стало акционером "Микрона", а созданное СП — его стопроцентной дочерней структурой. Финансирование проектов создания производственных линий 180 нм и 90 нм от нашего основного акционера шло различными путями, в том числе выдачей денег под проценты. В ходе готовящейся допэмиссии мы капитализируем ту кредитную массу, которую давал акционер, за счет чего долговая нагрузка "Микрона" снизится.

— У вас не только значительная долговая нагрузка, но и чистый убыток за последний год чуть менее 1 млрд руб. Каковы планы по выходу на прибыль?

— Мы операционно уже прибыльны. Однако закуплено очень много оборудования на десятки миллиардов рублей, и амортизация очень велика. Кроме того, в конце 2014-го и начале 2015 года увеличились процентные ставки по кредитам, потому долговая нагрузка существенно возросла. Меры, которые мы принимаем сейчас, в том числе допэмиссия, полагаю, позволят выйти на безубыточность по итогам 2017 года.

— Планы по строительству новой современной микроэлектронной фабрики за госсчет есть не только у "Микрона": проект по созданию производства чипов 22 нм в Минпромторг направляла компания "Т-Платформы".

— Если у них есть соответствующая команда, опыт и ресурсы — пусть делают. Думаю, правительство сможет проанализировать данные за последние десять лет и посмотреть, кто на себя какие задачи брал и какой у этого результат. Каждый должен заниматься своим делом, чудес в нашей области не бывает. Чтобы заниматься этой темой, нужно иметь большую научную, технологическую школу, которая создается десятилетиями. Это не стартап.

— Против вашей готовящейся допэмиссии возражало "Роснано", опасаясь размытия доли в компании.

— "Роснано" занимало такую позицию только на первом этапе, это было обусловлено, по моему мнению, больше эмоциями. Сейчас они, по моей информации, более спокойно к этому относятся.

— В 2016 году подходит срок реализации опциона "Роснано" на продажу доли в "Микроне" АФК "Система", однако говорят, что они хотят продать свою долю раньше. Так ли это?

— Есть акционерное соглашение, там все случаи описаны. Если бы они хотели продать свою долю до начала опциона, безусловно, они сначала должны были уведомить об этом нашего основного акционера.

— Вы много говорили о господдержке, при этом "Роснано" — госкомпания. Можно было бы договориться о финансовой поддержке через увеличение доли "Роснано" в капитале.

— "Роснано" хоть и госкомпания, но работает на рыночных, окупаемых условиях. Так, при вхождении в уставный капитал "Микрона" прописывалась высокая доходность на вложенный капитал, с гарантиями. Кредиты, если их брать у "Роснано", будут с такой же процентной ставкой, как и в любом банке. При этом наши проекты довольно сложно развивать на таких рыночных условиях.

— Пытались ли вы привлечь частных инвесторов к проекту строительства новой фабрики по производству микросхем 28 нм?

— Мы обсуждали этот вопрос с STMicroelectronics, Intel Capital, Samsung, Infineon и др. Но у них должна быть мотивация инвестировать. Обычно фабрику строят там, где есть большой рынок сбыта, а у нас он своеобразный и не такой развитый, таможенные пошлины на импорт нулевые. Поэтому условий для привлечения частных инвесторов в российскую микроэлектронику нет. Например, при создании микроэлектронной фабрики в Португалии или Германии, согласно местному законодательству, власти выделяют на каждое рабочее место субсидию в €1 млн. Таким образом, если на фабрике будут работать 500 человек, она сразу получит €500 млн на развитие. У нас таких механизмов нет, и наш рынок не впечатляет иностранные компании.

— Какой объем средств необходим на строительство фабрики?

— Деньги для государства разумные — около $1 млрд.

— Вы рассчитываете, что эти средства полностью будут предоставлены из госбюджета?

— Это был бы хороший вариант, но обсуждается много источников финансирования. Часть проекта может быть реализована за счет средств, полученных от увеличения уставного капитала в пользу госструктур, другая часть — средства инвесторов и льготные кредиты. Идет напряженная работа, решение еще не принято. Мы не отбрасываем вариант, исходя из которого проект, возможно, придется реализовывать на коммерческих условиях.

— Насколько мне известно, проект должны были обсуждать на совещании по развитию микроэлектроники в конце сентября под председательством президента РФ Владимира Путина. Это так?

— Вопрос действительно поднимался на совещании — мы сейчас как раз ждем официального протокола.

— Почему вы решили обратиться за господдержкой напрямую к президенту, а не в Минпромторг, курирующий эту отрасль?

— Это вопрос не совсем ко мне, я могу лишь предполагать. Микроэлектроника — одна из фундаментальных отраслей, которая тесно связана со многими другими: самолетостроением, судостроением, телекоммуникациями. С другой стороны, для решения важных вопросов в любой отрасли необходимо межведомственное взаимодействие. Вот, например, проект паспортно-визовых документов. Там задействованы ФМС, Минфин, Минкомсвязь, Минпромторг, ФСБ и другие ведомства. И так в любом проекте. Мы считаем, чтобы не заниматься бесконечными переписками, нужно ставить вопросы на самом высоком уровне.

— Одно из основных направлений экспорта у "НИИМЭ и Микрона" — Азия. Для чего российские микросхемы в регионе, в котором сосредоточены лидеры данной отрасли, например TSMC?

— У нас в стране много определенных мифов. Например, что Азия "давит" всех по ценам и производит все, что угодно. Мы начали экспортировать свою продукцию в конце 1980-х, когда к нам обратилась компания Samsung, которая занималась реконструкцией собственных заводов, но не хотела останавливать поставки. С тех пор мы присутствуем на юго-востоке, где у нас достаточно прочные позиции. У "НИИМЭ и Микрона" есть свое сборочное предприятие в Шэньчжэне и несколько дилеров. Мы проводили реструктуризацию, в ходе которой несколько месяцев назад по символической цене приобрели две дилерские компании и организовали единый центр, позволяющий нам более эффективно присутствовать в Азии. Мы продаем там регуляторы напряжения и разные драйверы, которые используются в LCD-экранах. Сейчас мы активно развиваем за рубежом продажи наших RFID-меток. Всего у нас около 100 потребителей в других странах.

Интервью взяла Мария Коломыченко

Красников Геннадий Яковлевич
Личное дело
18.11.2015
Родился 30 апреля 1958 года в Тамбове. Окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники (1981).

С 1981 по 1991 год работал в НИИ молекулярной электроники и на созданном при нем заводе "Микрон" инженером, ведущим инженером, начальником модуля, начальником цеха, заместителем директора. С 1991 года — гендиректор ОАО "НИИМЭ и "Микрон"". В 1999-2003 годах одновременно возглавлял ОАО "Концерн "Научный центр"" (с 2005 года — "Ситроникс"), в 2005-2012 годах руководил бизнес-направлением "Микроэлектронные решения" в ОАО "Ситроникс". В 2011-2013 годах возглавлял совет директоров и был генконструктором ОАО "НИИМЭ и "Микрон"", 1 января 2014 года вернулся на пост гендиректора этой компании. Также возглавляет ОАО НИИМЭ, входящее в группу "Микрон".

Академик РАН. Доктор технических наук, профессор. Автор и соавтор более 300 научных работ, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов. Награжден орденами Почета, "За заслуги перед Отечеством" IV степени и Дружбы.

Группа компаний "Микрон"
Company profile
18.11.2015

Ведет историю с 1964 года, когда в соответствии с приказом Госкомитета СССР по электронной технике был основан Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (НИИМЭ). В настоящее время "Микрон" является крупнейшим в РФ и СНГ производителем и экспортером микроэлектроники, входит в отраслевой холдинг ОАО РТИ (АФК "Система"). Головная компания группы, зеленоградское ОАО "НИИМЭ и "Микрон"", занимается научными исследованиями, разработкой, производством и реализацией интегральных микросхем. Всего в группу входят восемь производителей в РФ, сборочный завод в Шэньчжэне (КНР), торгпредства в Китае и на Тайване. Группа выпускает смарт-карты, сим-карты, банковские карты с чипом, транспортные и социальные карты, чипы для паспортов. Ежегодно выпускается 400 млн транспортных и 30 млн банковских карт, экспортируется 500 млн интегральных схем. В настоящее время "Микрон" ведет более 40 НИОКР, в рамках которых отрабатывается производство 91 нового изделия. Выручка головного предприятия, ОАО "НИИМЭ и "Микрон"", за девять месяцев 2015 года — 5 млрд руб., чистый убыток — 900 млн руб. Консолидированная финансовая отчетность не раскрывается.

[Aleks1961]

thunder26 пишет:

Aleks1961 пишет:
Тогда начните с азов

Какие азы? Я много лет занимаюсь этими вопросами. В том числе и вашим Лыбидем.
 P.S. Порадовал расчет ВБР Р2 в статье (первая формула на второй странице) . Безразмерная величина (ВБР) получается вычитанием из единицы частоты отказов (1/с). Далее тут же частота отказов (1/с) получается отношением двух безразмерных величин (число отказавших ИС к общему числу ИС). Далее извините читать нету мочи.

Приведено выражение исходящее из положения теоремы Бернулли - частость событий приближается к вероятности события, вот она и вычитается из 1 (единицы)       Читайте внимательно    

Теорема Бернулли – при неограниченном увеличении числа независимых наблюдений n частость (m/n) события А сходится (неограниченно приближается) к вероятности этого события P(A). Другими словами, при исследованиях какого либо явления частость его встречи соответствует вероятности его появления.

Учите азы    

[thunder26]

Aleks1961 пишет:
Приведено выражение исходящее из положения теоремы Бернулли - частость событий приближается к вероятности события, вот она и вычитается из 1 (единицы)      Читайте внимательно    

Частость? Откуда вы выловили это слово? Его нет в статье. Натягивать теорему Бернули для неограниченного числа наблюдений на испытания ЭРИ на выборке 10-20 корпусов - это круто. 

Это все беллетристика. Где ссылка на формулы расчета ВБР в РД 134-0139 и ОСТ 134-1034?